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考研真題:桂林理工大學2020年碩士研究生入學考試真題材料科學基礎I

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桂林理工大學2020年碩士研究生入學考試試題

考試科目代碼:856

考試科目名稱:材料科學基礎I

                                                    (總分150分,三小時答完)                  

考生注意:1.請將答題寫在答卷紙上,寫在試卷上視為無效。

2.考試需帶 無存儲功能的科學計算器、三角板、2B鉛筆、橡皮  用具

一 、選擇題(每小題2分,共20分)

1.  原子晶體中的化學鍵是:(  )

A. 共價鍵     B. 氫鍵    C.范德華健

2.  面心立方的密排面:(  )

A. {112}     B. {110}    C. {111}

3.  下列屬于二級相變的是:(  )

A. α-石英轉變到α-磷石英     B. 晶體的熔化    C.超導態相變

4.  以下各系統中屬于單相的是:(  )

A. Zn-Cu形成的固溶體      B. 冰水混合物      C. α-石英與β-石英的混合物

5.  幾種擴散的微觀機制中,對于置換固溶體最容易發生的是:(  )

    A. 易位擴散               B. 環形易位擴散          C. 空位擴散

6.  下列潤濕角與潤濕程度的關系正確的是:(  )

    A. θ<90o,不潤濕          B. θ>90 o,不潤濕         C. θ=180 o,完全潤濕

7.  熱力學一級相變特點的是  (  )

A. ?V=0, ?S=0                  B. ?V≠0, ?S≠0             C. ?V≠0, ?S=0

8.  下列關于形核說法正確的是 (  )

A. 過冷度?T越大,則臨界半徑越大

B. 非均勻形核比均勻形核難度更大

C. 均勻形核發生在均勻溶液或熔體內部,晶核產生幾率處處相同

9.  有A-B-C組元形成的三元相圖,其等邊成分三角形(ABC)內平行于AB的直線上任意一點表示: (  )

    A. C組元的濃度為定值   B. B與A組元的濃度比為定值  C. 以上兩選項都錯

10. 某一位錯的位錯線方向與其對應的柏氏矢量平行,則這一位錯為: (  )

    A. 刃型位錯      B. 螺型位錯        C. 混合位錯

二、名詞解釋(每小題5分,共25分)

1. 配位數與配位多面體

2. 肖特基缺陷   

3. 同質多晶  

4. 一級相變

5. 燒結

三、判斷題(每題2分,共20分)

1.  擴散系數是與溫度有關,與晶體結構無關的。                                     (   )

2.  晶體中的熱缺陷在外力場作用下可以做定向運動。                                 (   )

3.  馬氏體屬于二級相變。                                                         (   )

4.  溫度越高,原子熱激活能越小,擴散系數越小。                                   (   )

5.  空間點陣是晶體中質點排列的幾何抽象,只有14種布拉維空間格子類型,而實際存在的晶體結構是無限的。                                                                  (   )  

6.  對于固體表面,其表面張力在數值上不等于表面自由能。                           (   )

7.  基于結晶化原理,威爾等人提出了晶體的表面雙電層理論,認為鍵強是影響表面結構的重要因素。       

(   )

8.  結晶時凡是能降低形核速率、提高生長速率的因素,都能使晶粒細化。               (   )   

9.  蒸發-凝聚傳質過程可以通過延長燒結時間達到燒結的目的。                        (   )                                                           

10. 在立方晶相中,晶向指數[uvw]和晶面指數(hkl)中的數字相同時,對應的晶向和晶面相互垂直。                                (   )

四、問答題(每小題15分,共60分)

1. 燒結過程中物質遷移機理有哪幾種?其特點是什么?

2. 作圖表示立方晶體中(111)、(131)晶面與[130]、[111]晶向。

3. 書寫缺陷反應方程時,應遵循的基本原則有哪些?請根據上述原則寫出Y2O3中加入MgO形成空位型缺陷的方程式以及固溶體化學式。

4. 擴散的機制主要有哪幾種? 

五、綜合分析題(每小題5分,共25分)

圖1為三元系統相圖,據圖回答以下問題: 

1.說明化合物S的性質。(5分)

2.  指出無變量點P、E的性質。(5分)

3.  分析組成點1、2元系統的冷卻結晶過程。(15分)

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原文標題:2020年考研真題

原文鏈接:https://yjsy.glut.edu.cn/info/1189/4400.htm

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責任編輯:史夢潔
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